单个 Vishay SIR880DP-T1-GE3

地区:广东 深圳
认证:

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单个  Vishay   SIR880DP-T1-GE3

制造商

Vishay Siliconix

制造商产品编号

SIR880DP-T1-GE3

单个  Vishay   SIR880DP-T1-GE3 

包装卷带(TR)剪切带(CTDigi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60ATc

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On4.5V10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)5.9 毫欧 @ 20A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)2.8V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)74 nC @ 10 V

Vgs(大值)±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)2440 pF @ 40 V

FET 功能-

功率耗散(大值)6.25WTa),104WTc

工作温度C-55° ~ 150°CTJ

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PowerPAK® SO-8

封装/外壳PowerPAK® SO-8

单个  Vishay   SIR880DP-T1-GE3

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型号/规格

SIR880DP-T1-GE3

品牌/商标

Vishay

封装

PowerPAK® SO-8

批号

2021+

最小工作温度

-55°

最大工作温度

150°C