单个 Infineon IRFB4229PBF

单个  Infineon   IRFB4229PBF

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IRFB4229PBF

单个  Infineon   IRFB4229PBF

包装管件

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)46A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）46 毫欧 @ 26A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）110 nC @ 10 V

Vgs（大值）±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）4560 pF @ 25 V

FET 功能-

功率耗散（大值）330W（Tc）

工作温度-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

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