阵列 NXP USA Inc. PMWD16UN,518

阵列  NXP USA Inc.  PMWD16UN,518

制造商

NXP USA Inc.

制造商产品编号

PMWD16UN,518

阵列  NXP USA Inc.  PMWD16UN,518 

FET 类型2 N-通道（双）

FET 功能逻辑电平门

漏源电压（Vdss）20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）19 毫欧 @ 3.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）700mV @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）23.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1366pF @ 16V

功率 - 大3.1W

工作温度~-55°C ~ 1c1cTJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳8-TSSOP（0.173""，4.40mm 宽）

供应商器件封装8-TSSOP

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