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产品属性
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NVD5C668NLT4G onsemi 单个
制造商
onsemi
制造商产品编号
NVD5C668NLT4G
NVD5C668NLT4G onsemi 单个
包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)49A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)8.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)8.7 nC @ 4.5 V
Vgs(大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)1300 pF @ 25 V
FET 功能-
功率耗散(大值)44W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装DPAK
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
NVD5C668NLT4G onsemi 单个深圳昴泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商,服务广大电子设计群体。深圳昴泽电子原厂授权分销超过800家品牌,可订购500多万种在线产品,为客户提供一站式采购平台,欢迎垂询!
NVD5C668NLT4G
onsemi
TO-252-3
2021+
-55°C
175°C