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产品属性
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IXFH72N30X3 IXYS 单个
制造商
IXYS
制造商产品编号
IXFH72N30X3
IXFH72N30X3 IXYS 单个
包装管件
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)72A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)19 毫欧 @ 36A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)4.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)82 nC @ 10 V
Vgs(大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)5.4 nF @ 25 V
FET 功能-
功率耗散(大值)390W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247(IXTH)
封装/外壳TO-247-3IXFH72N30X3 IXYS 单个
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IXFH72N30X3
IXYS
TO-247-3
2021+
-55°C
150°C