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产品属性
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单个 SI7121DN-T1-GE3 Vishay
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SI7121DN-T1-GE3
包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态在售
FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds
On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)18 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)65 nC @ 10 V
Vgs(大值)±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)1960 pF @ 15 V
FET 功能-
功率耗散(大值)3.7W(Ta),52W(Tc)
工作温度-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
封装/外壳PowerPAK®
1212-8
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SI7121DN-T1-GE3
Vishay
PowerPAK® 1212-8
2021+
-50°C
150°C