模块 Infineon FD200R12KE3HOSA1

模块  Infineon  FD200R12KE3HOSA1

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

FD200R12KE3HOSA1

模块  Infineon  FD200R12KE3HOSA1 

包装散装

零件状态在售

IGBT 类型沟槽型场截止

配置单斩波器

电压 - 集射极击穿（大值）1200 V

功率 - 大值1050 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（大值）2.15V @ 15V，200A

电流 - 集电极截止（大值）5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)14 nF @ 25 V

输入标准

NTC 热敏电阻无

工作温度-40°C ~ 125°C

安装类型底座安装

封装/外壳模块

供应商器件封装模块

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