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产品属性
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NVMFS5C460NLAFT1G onsemi 单个
制造商
onsemi
制造商产品编号
NVMFS5C460NLAFT1G
包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A(Ta),78A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds
On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)4.5 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)23 nC @ 10 V
Vgs(大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)1300 pF @ 25 V
FET 功能-
功率耗散(大值)3.6W(Ta),50W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线
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NVMFS5C460NLAFT1G
onsemi
8-PowerTDFN
2021+
-55°C
175°C