IRFR13N20DTRPBF Infineon FET

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRFR13N20DTRPBF

一般信息

数据列表       IRF(R,U)13N20DPbF;

标准包装      2,000

包装      标准卷带 

零件状态       最後搶購

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       HEXFET®

其它名称       IRFR13N20DPBFTR

IRFR13N20DTRPBF-ND

IRFR13N20DTRPBFTR-ND

SP001567488

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    13A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，最小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      235 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  5.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    38nC @ 10V

Vgs（大值）     ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  830pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    110W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D-Pak

封装/外壳      TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

公司简介：

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