Infineon IRFR3711ZTRPBF 晶体管

Infineon IRFR3711ZTRPBF 晶体管

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRFR3711ZTRPBF

一般信息

数据列表       IRF(R,U)3711ZPbF;

标准包装      2,000

包装      标准卷带 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       HEXFET®

其它名称       IRFR3711ZPBFTR

IRFR3711ZTRPBF-ND

IRFR3711ZTRPBFTR-ND

SP001557010

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    93A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）  5.7 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）      2.45V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）       27nC @ 4.5V

Vgs（大值） ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）  2160pF @ 10V

FET 功能       -

功率耗散（大值）       79W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D-Pak

封装/外壳      TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

Infineon IRFR3711ZTRPBF 晶体管

公司简介：
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