晶体管 ON Semiconductor NTD3055L170T4G

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晶体管  ON Semiconductor  NTD3055L170T4G

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

NTD3055L170T4G

 晶体管  ON Semiconductor  NTD3055L170T4G

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    9ATa

驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On      5V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      170 毫欧 @ 4.5A5V

不同 Id Vgs(th)(大值)  2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    10nC @ 5V

Vgs(大值)     ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  275pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    1.5WTa),28.5WTj

工作温度       -55°C ~ 175°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    DPAK

封装/外壳      TO-252-3DPak2 引线 + 接片),SC-63

晶体管  ON Semiconductor  NTD3055L170T4G

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型号/规格

NTD3055L170T4G

品牌/商标

ON Semiconductor

封装

TO-252-3

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

175°C