晶体管 Toshiba ULN2003AFWG,O,N,E

晶体管  Toshiba  ULN2003AFWG,O,N,E

制造商   

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号   

ULN2003AFWG,O,N,E

 晶体管  Toshiba  ULN2003AFWG,O,N,E

晶体管类型    7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（大值）   500mA

电压 - 集射极击穿（大值）  50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）       1.6V @ 500μA，350mA

电流 - 集电极截止（大值）  50μA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）   1000 @ 350mA，2V

功率 - 大值     1.25W

频率 - 跃迁  -

工作温度       -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装    16-SOL

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