GSI GS816132DGD-250I SRAM

地区:广东 深圳
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GSI GS816132DGD-250I SRAM

制造商编号:

GS816132DGD-250I

制造商: GSI Technology

 

规格

制造商:   GSI Technology    

产品种类:      静态随机存取存储器   

RoHS:     详细信息    

存储容量:      18 Mbit  

组织:      512 k x 32     

访问时间:      5.5 ns    

大时钟频率:   250 MHz

接口类型:      Parallel  

电源电压-: 3.6 V     

电源电压-: 2.3 V     

电源电流—大值:   250 mA, 270 mA  

小工作温度:   - 40 C   

大工作温度:   + 85 C   

安装风格:      SMD/SMT     

封装 / 箱体:  BGA-165

封装:      Tray

存储类型:      SDR

系列:      GS816132DGD     

类型:      Pipeline/Flow Through

商标:      GSI Technology    

湿度敏感性:   Yes 

产品类型:      SRAM    

工厂包装数量:      36   

子类别:   Memory & Data Storage    

商标名:   SyncBurst     

GSI GS816132DGD-250I SRAM

产品图:


 

公司简介:

深圳昴泽公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)XILINXLINEARALTERA(阿特拉 )ATMEL(爱特梅尔)STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦。 深圳昴泽为了更好的服务于客户,提供一站式配套服务!欢迎垂询~

 

型号

GS816132DGD-250I

品牌

GSI

封装

BGA-165

批号

20+

电源电压-小

2.3 V

电源电压-大

3.6 V