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产品属性
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Kioxia TC58NVG2S0HBAI6 FLASH
制造商
Kioxia America, Inc.
制造商零件编号
TC58NVG2S0HBAI6
Kioxia TC58NVG2S0HBAI6 FLASH
一般信息
数据列表 TC58NVG2S0HBAI6;
标准包装 338
包装 托盘
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 TC58NVG2S0HBAI6JDH
TC58NVG2S0HBAI6YCL
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NAND(SLC)
存储容量 4Gb (512M x 8)
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 25ns
访问时间 25ns
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 67-VFBGA
供应商器件封装 67-VFBGA(6.5x8)
Kioxia TC58NVG2S0HBAI6 FLASH
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
TC58NVG2S0HBAI6
Kioxia
67-VFBGA(6.5x8)
20+
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
24LC128T-I/MNY Microchip EEPROM
MT25QL512ABB8E12-0AUT TR FLASH Micron
SST39VF1601-70-4I-EKE-T Microchip 闪存
Cypress S25FS256SAGMFI000 FLASH
Renesas FIFO 72V3640L6PFG
ON LE25S161XATAG 闪存
闪存 MT25TL01GBBB8ESF-0AAT Micron
Micron MT29F2G01ABAGDSF-IT:G TR 闪存
Winbond W25Q128JWPIM TR NOR闪存
S25FL064LABNFA010 Cypress FLASH