CSD25310Q2 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商   

Texas Instruments

制造商零件编号   

CSD25310Q2

一般信息

数据列表       CSD25310Q2;

标准包装      3,000

包装      标准卷带 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       NexFET™

其它名称       296-38915-2

CSD25310Q2-ND

规格

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）      1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      23.9 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    4.7nC @ 4.5V

Vgs（最大值）     ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  655pF @ 10V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    2.9W（Ta）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    6-WSON（2x2）

封装/外壳      6-WDFN 裸露焊盘

公司简介：

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