CSD25301W1015 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

地区:广东 深圳
认证:

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制造商   

Texas Instruments

制造商零件编号   

CSD25301W1015

 

一般信息

数据列表       CSD25301W1015;

标准包装      3,000

包装      标准卷带 

零件状态       停產

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FETMOSFET - 单个

系列       NexFET™

其它名称       296-24259-2

 

规格

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    2.2ATc

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On      1.5V4.5V

不同 IdVgs 时导通电阻(最大值)      75 毫欧 @ 1A4.5V

不同 Id Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)    2.5nC @ 4.5V

Vgs(最大值)     ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)  270pF @ 10V

FET 功能       -

功率耗散(最大值)    1.5WTa

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    6-DSBGA1x1.5

封装/外壳      6-UFBGADSBGA

 

公司简介:

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型号/规格

CSD25301W1015

品牌/商标

Microchip/微芯

封装

BGA

批号

20+