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产品属性
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AT45DB081E-MHN-T Adesto 闪存
制造商
Adesto Technologies
制造商零件编号
AT45DB081E-MHN-T
AT45DB081E-MHN-T Adesto 闪存
一般信息
数据列表 AT45DB081E;
标准包装 6,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 1265-1083-2
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 闪存
存储容量 8Mb (264 字节 x 4096 页)
存储器接口 SPI
时钟频率 85MHz
写周期时间 - 字,页 8μs,4ms
电压 - 供电 1.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 8-UDFN(5x6)
AT45DB081E-MHN-T Adesto 闪存
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
AT45DB081E-MHN-T
Adesto
8-UDFN(5x6)
20+
1.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TC)
Microchip AT28C010-15JU-T EEPROM
CY62157EV30LL-45ZXI Cypress SRAM
CY7C1460KV33-200AXCT Cypress SRAM
CY14B101Q2-LHXI Cypress NVSRAM
Microchip SRAM 23K640-E/ST
72V221L15PFGI8 Renesas 存储器
Cypress S34ML01G100BHI003 闪存
23K256-E/P Microchip SRAM
RMLV1616AGSA-5S2#AA0 Renesas SRAM
ISSI IS42VM16160K-75BLI SDRAM