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产品属性
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CY62187EV30LL-55BAXI Cypress SRAM
制造商
Cypress Semiconductor Corp
制造商零件编号
CY62187EV30LL-55BAXI
CY62187EV30LL-55BAXI Cypress SRAM
一般信息
数据列表 CY62187EV30;
标准包装 210
包装 托盘
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 MoBL®
其它名称 428-3279
CY62187EV30LL-55BAXI-ND
CY62187EV30LL55BAXI
规格
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 64Mb (4M x 16)
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 55ns
访问时间 55ns
电压 - 供电 2.2V ~ 3.7V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 48-LFBGA
供应商器件封装 48-FBGA(8x9.5)
CY62187EV30LL-55BAXI Cypress SRAM
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
CY62187EV30LL-55BAXI
Cypress
48-FBGA(8x9.5)
20+
64Mb (4M x 16)
2.2V ~ 3.7V
Microchip EEPROM AT24CSW080-UUM0B-T
Micron MT47H128M8SH-25E IT:M TR SDRAM
W989D6DBGX6E Winbond SDRAM
Micron MT41K512M8DA-107 AIT:P SDRAM
ISSI IS22ES08G-JCLA1 FLASH
IS25LP016D-JKLE-TR 闪存 ISSI
MT47H128M16RT-25E:C SDRAM Micron
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C Micron 闪存
W9816G6JH-6I TR Winbond SDRAM
Micron MT28EW01GABA1LPC-0SIT 闪存