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产品属性
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Micron SDRAM MT47H256M8EB-25E:C TR
制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT47H256M8EB-25E:C TR
Micron SDRAM MT47H256M8EB-25E:C TR
一般信息
数据列表 MT47H256M8, MT47H128M16, MT47H512M4;
标准包装 2,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 557-1924-2
MT47H256M8EB-25E:C TR-ND
MT47H256M8EB-25E:CTR
MT47H256M8EB-25E:CTR-ND
规格
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR2
存储容量 2Gb (256M x 8)
存储器接口 并联
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字,页 15ns
访问时间 400ps
电压 - 供电 1.7V ~ 1.9V
工作温度 0°C ~ 85°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 60-TFBGA
供应商器件封装 60-FBGA(9x11.5)
Micron SDRAM MT47H256M8EB-25E:C TR
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
MT47H256M8EB-25E:C TR
Micron
60-FBGA(9x11.5)
20+
2Gb (256M x 8)
1.7V ~ 1.9V
AS7C34096A-10TCNTR Alliance SRAM
CY7C1414KV18-250BZXC Cypress SRAM
GSI GS8342D36BGD-250I SRAM
Texas SN74V245-15PAG 存储器
ISSI IS61LF25618A-7.5TQLI-TR SRAM
Renesas R1LV5256ESA-5SI#B1 SRAM
DS1230Y-200 Maxim NVSRAM
Cypress CY7C1360C-166AXC SRAM
Cypress CY62167G30-45ZXIT SRAM
PSRAM Alliance AS1C8M16PL-70BIN