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产品属性
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Winbond W632GG6NB-11 SDRAM
制造商
Winbond Electronics
制造商零件编号
W632GG6NB-11
Winbond W632GG6NB-11 SDRAM
一般信息
数据列表 W632GG6NB;
标准包装 198
包装 托盘
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
规格
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3
存储容量 2Gb (128M x 16)
存储器接口 并联
时钟频率 933MHz
写周期时间 - 字,页 15ns
访问时间 20ns
电压 - 供电 1.425V ~ 1.575V
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 96-VFBGA
供应商器件封装 96-VFBGA(7.5x13)
Winbond W632GG6NB-11 SDRAM
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
W632GG6NB-11
Winbond
96-VFBGA(7.5x13)
20+
并联
933MHz
SDRAM Alliance AS4C128M16D3LB-12BIN
Microchip AT28C010-12JU-T EEPROM
MT41K512M8DA-107 AAT:P Micron SDRAM
Microchip EEPROM AT24CSW080-UUM0B-T
S25FL128LAGMFV013 Cypress 闪存
MT48LC16M16A2P-7E IT:G Micron SDRAM
Microchip EEPROM 24CW320T-I/ST
Micron MT28EW256ABA1LPC-0SIT 闪存
IS25LP016D-JNLE 闪存 ISSI
Micron SDRAM MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR