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产品属性
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FLASH GD25LQ40CEIGR GigaDevice
制造商
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
制造商零件编号
GD25LQ40CEIGR
FLASH GD25LQ40CEIGR GigaDevice
一般信息
数据列表 GD25LQxxC Datasheet;
Product Selection Guide;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 1970-1020-2
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 4Mb (512K x 8)
存储器接口 SPI - 四 I/O
时钟频率 104MHz
写周期时间 - 字,页 50μs,2.4ms
电压 - 供电 1.65V ~ 2.1V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 8-USON(2x3)
FLASH GD25LQ40CEIGR GigaDevice
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
GD25LQ40CEIGR
FLASH
8-USON(2x3)
20+
4Mb (512K x 8)
1.65V ~ 2.1V
Alliance SDRAM AS4C32M32MD2A-25BIN
ISSI SDRAM IS43TR16128CL-125KBL-TR
Alliance AS4C16M32MSA-6BIN SDRAM
Cypress FLASH S29GL128P90TFIR10
ISSI IS42S32160F-7BLI-TR SDRAM
MT53E128M32D2DS-053 AIT:A Micron SDRAM
BR24A02FJ-WME2 Rohm EEPROM
Micron MT41K128M16JT-107 IT:K TR SDRAM
Micron SDRAM MT40A512M16LY-062E IT:E
IS66WVH16M8ALL-166B1LI ISSI PSRAM