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产品属性
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制造商
Kioxia America, Inc.
制造商零件编号
TC58BYG2S0HBAI4
一般信息
数据列表 TC58BYG2S0HBAI4;
标准包装 210
包装 托盘
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 Benand™
其它名称 TC58BYG2S0HBAI4JDH
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NAND(SLC)
存储容量 4G(512M x 8)
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 25ns
访问时间 25ns
电压 - 供电 1.7V ~ 1.95V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 63-VFBGA
供应商器件封装 63-TFBGA(9x11)
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
TC58BYG2S0HBAI4
Kioxia
63-TFBGA(9x11)
2020+
4G(512M x 8)
1.7V ~ 1.95V