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产品属性
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AS4C4M32MSA-6BINTR Alliance DRAM
制造商
Alliance Memory, Inc.
制造商零件编号
AS4C4M32MSA-6BINTR
AS4C4M32MSA-6BINTR Alliance DRAM
一般信息
数据列表 AS4C4M32MSA-6BIN Preliminary~;
标准包装 1,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
规格
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - 移动
存储容量 128Mb (4M x 32)
存储器接口 并联
时钟频率 166MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 5.5ns
电压 - 供电 1.7V ~ 1.95V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 90-VFBGA
供应商器件封装 90-FBGA(8x13)
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
AS4C4M32MSA-6BINTR
Alliance
90-VFBGA
20+
1.7V ~ 1.95V
128Mb (4M x 32)
DS1245Y-100 Maxim NVSRAM
72225LB15TFGI8 Renesas 存储器
CY7C1327G-166AXC Cypress SRAM
Microchip AT25320B-XHL-T EEPROM
7205L12JG8 Electronics 存储器
Cypress SRAM CY7C1021DV33-10BVXI
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT TR Micron FLASH
7027L20PFGI Renesas SRAM
Cypress CY14B256LA-SZ25XIT NVSRAM
CY7C1372KV33-167AXI Cypress SRAM