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产品属性
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BR25A256FVT-3MGE2 ROHM EEPROM
制造商编号:
BR25A256FVT-3MGE2
制造商: ROHM Semiconductor
BR25A256FVT-3MGE2 ROHM EEPROM
规格
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 电可擦除可编程只读存储器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-B8
存储容量: 256 kB
组织: 32 k x 8
接口类型: Serial, SPI
数据保留: 100 Year
最大时钟频率: 100 MHz
电源电流—最大值: 3 mA
电源电压-最小: 2.5 V
电源电压-最大: 5.5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ROHM Semiconductor
工作电源电压: 2.5 V to 5.5 V
产品类型: EEPROM
工厂包装数量: 3000
子类别: Memory & Data Storage
零件号别名: BR25A256FVT-3M
BR25A256FVT-3MGE2 ROHM EEPROM
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
BR25A256FVT-3MGE2
ROHM
TSSOP-B8
20+
256Kb (32K x 8)
SPI
Winbond FLASH W25Q128JVSIQ TR
25AA256T-I/SM Microchip EEPROM
25LC080CT-E/SN Microchip EEPROM
Microchip SST25VF010A-33-4I-QAE-T 闪存
Adesto AT45DB161E-SSHD2B-T 闪存
DS9090EVKIT# Maxim EEPROM
Winbond FLASH W25Q32JVSSIQ TR
Microchip 闪存 SST25VF016B-50-4C-S2AF-T
CAT25640VI-GT3 ON EEPROM
Microchip 25AA080CT-I/ST EEPROM