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产品属性
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IRF7809AVTRPBF Infineon 单个
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF7809AVTRPBF
IRF7809AVTRPBF Infineon 单个
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13.3A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 9 毫欧 @ 15A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 62nC @ 5V
Vgs(大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 3780pF @ 16V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C
~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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IRF7809AVTRPBF
Infineon
8-SOIC
2020+
-55°C
150°C