单个 ON Semiconductor NDS336P

单个  ON Semiconductor  NDS336P

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

NDS336P

 单个  ON Semiconductor  NDS336P

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    1.2A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      200 毫欧 @ 1.3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    8.5nC @ 4.5V

Vgs（大值）     ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  360pF @ 10V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    500mW（Ta）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    SuperSOT-3

封装/外壳      TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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