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产品属性
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晶体管 STMicroelectronics STP12NK30Z
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STP12NK30Z
晶体管 STMicroelectronics STP12NK30Z
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 300V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 400 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 35nC @ 10V
Vgs(大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 670pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 90W(Tc)
工作温度 -55°C
~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
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STP12NK30Z
STMicroelectronics
TO-220AB
2020+
-55°C
150°C
XC5VSX95T-1FFG1136I 现场可编程门阵列
L6205D013TR STMicroelectronics
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