晶体管 STMicroelectronics STP12NK30Z

地区:广东 深圳
认证:

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晶体管  STMicroelectronics  STP12NK30Z

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STP12NK30Z

晶体管  STMicroelectronics  STP12NK30Z 

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       300V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    9ATc

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On      10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      400 毫欧 @ 4.5A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    35nC @ 10V

Vgs(大值)     ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  670pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    90WTc

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220AB

晶体管  STMicroelectronics  STP12NK30Z

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型号/规格

STP12NK30Z

品牌/商标

STMicroelectronics

封装

TO-220AB

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C