STP7NM50N STMicroelectronics 单个

地区:广东 深圳
认证:

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STP7NM50N  STMicroelectronics  单个

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STP7NM50N

STP7NM50N  STMicroelectronics  单个 

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       500V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    5ATc

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On      10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      780 毫欧 @ 2.5A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    12nC @ 10V

Vgs(大值)     ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  400pF @ 50V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    45WTc

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220AB

封装/外壳      TO-220-3

STP7NM50N  STMicroelectronics  单个

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型号/规格

STP7NM50N

品牌/商标

STMicroelectronics

封装

TO-220-3

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C