晶体管 STP11NM60ND STMicroelectronics

晶体管  STP11NM60ND  STMicroelectronics

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STP11NM60ND

晶体管  STP11NM60ND  STMicroelectronics 

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    10A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      450 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    30nC @ 10V

Vgs（大值）     ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  850pF @ 50V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    90W（Tc）

工作温度       150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220AB

封装/外壳      TO-220-3

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