晶体管 STMicroelectronics STS8C5H30L

晶体管  STMicroelectronics  STS8C5H30L  

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STS8C5H30L

晶体管  STMicroelectronics  STS8C5H30L  

FET 类型       N 和 P 沟道

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    8A，5.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      22 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    10nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  857pF @ 25V

功率 - 大值     2W

工作温度       150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装    8-SO

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