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产品属性
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STS6NF20V STMicroelectronics
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STS6NF20V
STS6NF20V STMicroelectronics
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 1.95V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 40 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 600mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 11.5nC @ 4.5V
Vgs(大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 460pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 2.5W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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STS6NF20V
STMicroelectronics
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
2020+
150°C