单个 STMicroelectronics STP21NM50N

地区:广东 深圳
认证:

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单个  STMicroelectronics  STP21NM50N

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STP21NM50N

单个  STMicroelectronics  STP21NM50N 

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       500V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    18ATc

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On      10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      190 毫欧 @ 9A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    65nC @ 10V

Vgs(大值)     ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  1950pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    140WTc

工作温度       150°CTJ

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220AB

封装/外壳      TO-220-3

单个  STMicroelectronics  STP21NM50N

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型号/规格

STP21NM50N

品牌/商标

STMicroelectronics

封装

TO-220-3

批号

2020+

最大工作温度

150°C