STMicroelectronics STP2N80K5 单个

STMicroelectronics  STP2N80K5  单个

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STP2N80K5

 STMicroelectronics  STP2N80K5  单个

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       800V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    2A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      4.5 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  5V @ 100μA

不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（大值）    3nC @ 10V

Vgs（大值）     30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  95pF @ 100V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    45W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220

封装/外壳      TO-220-3

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