单个 Nexperia PSMN4R2-30MLDX

单个  Nexperia   PSMN4R2-30MLDX

制造商   

Nexperia USA Inc.

制造商零件编号   

PSMN4R2-30MLDX

 单个  Nexperia   PSMN4R2-30MLDX

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    70A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，最小 Rds On）      4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      4.3 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    29.3nC @ 10V

Vgs（大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  1795pF @ 15V

FET 功能       肖特基二极管（体）

功率耗散（大值）    65W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    LFPAK33

封装/外壳      SOT-1210，8-LFPAK33

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