FDZ191P ON Semiconductor 单个

FDZ191P  ON Semiconductor  单个

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FDZ191P

FDZ191P  ON Semiconductor  单个 

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    3A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，最小 Rds On）      1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      85mOhm @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    13nC @ 10V

Vgs（大值）     ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  800pF @ 10V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    1.9W（Ta）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    6-WLCSP（1.0x1.5）

封装/外壳      6-UFBGA，WLCSP

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