NCP3420DR2G ON Semiconductor

地区:广东 深圳
认证:

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NCP3420DR2G  ON Semiconductor

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

NCP3420DR2G

 NCP3420DR2G  ON Semiconductor

驱动配置       半桥

通道类型       同步

驱动器数       2

栅极类型       N 沟道 MOSFET

电压 - 供电  4.6V ~ 13.2V

逻辑电压 - VILVIH   0.8V2V

电流 - 峰值输出(灌入,拉出)     -

输入类型       非反相

高压侧电压 - 大值(自举)  35V

上升/下降时间(典型值)  16ns11ns

工作温度       0°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      8-SOIC0.154"3.90mm 宽)

供应商器件封装    8-SOIC

NCP3420DR2G  ON Semiconductor

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型号/规格

NCP3420DR2G

品牌/商标

ON Semiconductor

封装

8-SOIC

批号

2020+

最小工作温度

0°C

最大工作温度

150°C