FGY75N60SMD ON Semiconductor

FGY75N60SMD  ON Semiconductor

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FGY75N60SMD

FGY75N60SMD  ON Semiconductor 

IGBT 类型     场截止

电压 - 集射极击穿（大值）  600V

电流 - 集电极 (Ic)（大值）   150A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)   225A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（大值）      2.5V @ 15V，75A

功率 - 大值     750W

开关能量       2.3mJ（开），770μJ（关）

输入类型       标准

栅极电荷       248nC

25°C 时 Td（开/关）值     24ns/136ns

测试条件       400V，75A，3 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)       55ns

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       通孔

封装/外壳      TO-247-3 变式

供应商器件封装    PowerTO-247-3

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