预偏置 Toshiba RN2910FE,LF(CT

地区:广东 深圳
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预偏置  Toshiba   RN2910FE,LF(CT

制造商   

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号   

RN2910FE,LF(CT

 预偏置  Toshiba   RN2910FE,LF(CT

晶体管类型    2 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(大值)   100mA

电压 - 集射极击穿(大值)  50V

电阻器 - 基极 (R1)     4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2) -

不同 IcVce DC 电流增益 (hFE)(最小值)   120 @ 1mA5V

不同 IbIc Vce 饱和压降(大值)       300mV @ 250μA5mA

电流 - 集电极截止(大值)  100nAICBO

频率 - 跃迁  200MHz

功率 - 大值     100mW

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      SOT-563SOT-666

供应商器件封装    ES6

预偏置  Toshiba   RN2910FE,LF(CT

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型号/规格

RN2910FE,LF(CT

品牌/商标

Toshiba

封装

SOT-563

批号

2020+

功率 - 最大值

100mW

频率 - 跃迁

200MHz