单个 STMicroelectronics STF28N60M2

地区:广东 深圳
认证:

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 单个  STMicroelectronics  STF28N60M2

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STF28N60M2

  单个  STMicroelectronics  STF28N60M2

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    24ATc

驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On      10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      150 毫欧 @ 12A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    37nC @ 10V

Vgs(大值)     ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  1370pF @ 100V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    30WTc

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220FP

封装/外壳      TO-220-3 整包

 单个  STMicroelectronics  STF28N60M2

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型号/规格

STF28N60M2

品牌/商标

STMicroelectronics

封装

TO-220-3 整包

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C