阵列 Infineon IRF7555TR

地区:广东 深圳
认证:

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阵列  Infineon  IRF7555TR

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRF7555TR

 阵列  Infineon  IRF7555TR

FET 类型       2 P 沟道(双)

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压(Vdss       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    4.3A

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      55 毫欧 @ 4.3A4.5V

不同 Id Vgs(th)(大值)  1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    15nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  1066pF @ 10V

功率 - 大值     1.25W

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      8-TSSOP8-MSOP0.118"3.00mm 宽)

供应商器件封装    Micro8™

阵列  Infineon  IRF7555TR

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型号/规格

IRF7555TR

品牌/商标

Infineon

封装

Micro8™

批号

2020+

功率 - 最大值

1.25W