BSH202,215 Nexperia 单个

BSH202,215  Nexperia   单个

制造商   

Nexperia USA Inc.

制造商零件编号   

BSH202,215

 BSH202,215  Nexperia   单个

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    520mA（Ta）

驱动电压（大 Rds On，最小 Rds On）      4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      900 毫欧 @ 280mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  1.9V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    2.9nC @ 10V

Vgs（大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  80pF @ 24V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    417mW（Ta）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    TO-236AB

封装/外壳      TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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