RUM001L02T2CL Rohm 单个

RUM001L02T2CL  Rohm  单个

制造商   

Rohm Semiconductor

制造商零件编号   

RUM001L02T2CL

 RUM001L02T2CL  Rohm  单个

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    100mA（Ta）

驱动电压（大 Rds On，最小 Rds On）      1.2V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  1V @ 100μA

Vgs（大值）     ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  7.1pF @ 10V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    150mW（Ta）

工作温度       150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    VMT3

封装/外壳      SOT-723

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