单个 Toshiba SSM3J334R,LF

地区:广东 深圳
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单个  Toshiba  SSM3J334R,LF

制造商   

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号   

SSM3J334R,LF

 单个  Toshiba  SSM3J334R,LF

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    4ATa

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On      4V10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      71 毫欧 @ 3A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  2V @ 100μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最值)    5.9nC @ 10V

Vgs大值)     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  280pF @ 15V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    1WTa

工作温度       150°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    SOT-23F

封装/外壳      SOT-23-3 扁平引线

单个  Toshiba  SSM3J334R,LF

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型号/规格

SSM3J334R,LF

品牌/商标

Toshiba

封装

SOT-23-3 扁平引线

批号

2020+

最大工作温度

150°C