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产品属性
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单个 Toshiba SSM3J334R,LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号
SSM3J334R,LF
单个 Toshiba SSM3J334R,LF
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 71 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 2V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最值) 5.9nC @ 10V
Vgs大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 280pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 1W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23F
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线
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SSM3J334R,LF
Toshiba
SOT-23-3 扁平引线
2020+
150°C