Diodes DMN2300UFB4-7B 单个

地区:广东 深圳
认证:

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Diodes   DMN2300UFB4-7B   单个

制造商   

Diodes Incorporated

制造商零件编号   

DMN2300UFB4-7B

 Diodes   DMN2300UFB4-7B   单个

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    1.3ATa

驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On      1.5V4.5V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      175 毫欧 @ 300mA4.5V

不同 Id Vgs(th)(大值)  950mV @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    1.6nC @ 4.5V

Vgs(大值)     ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  64.3pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    500mWTa

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    X2-DFN1006-3

封装/外壳      3-XFDFN

Diodes   DMN2300UFB4-7B   单个

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型号/规格

DMN2300UFB4-7B

品牌/商标

Diodes

封装

3-XFDFN

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C