IRFS7530-7P晶体管 IR全新原装

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类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单制造商Infineon Technologies系列HEXFET®，StrongIRFET™包装 管件 零件状态Digi-Key 停产FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）1.4 毫欧 @ 100A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.7V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）354nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）12960pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）375W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK（7-Lead）封装/外壳TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）