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供应一系列场效应小功率三*管

地区：广东 深圳
认证： 无

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2N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性，如*快的开关速度，*低栅电荷，*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源，DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQU2N60C 2N60 SD2N60L FQU4N60 4N60 SSP4N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

M*金属半导体

低频噪声系数

1

*间电容

1

漏*电流

2