秉诚*NXP SR中高频管BFR520

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BFR520

 

简介

BFR520硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHFUHFCATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于PHILIPS,现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的*微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上,为民用市场研制开发了系列高频微波三*管,还包括2SC3356,2SC33572SC3838BFQ591,2S*226BFR540BFR520等,其性能指标同NECphilips同类产品相同。

BFR520参数

类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管   

  集电*-发射*电压VCEO15V

集电*-基*电压VCBO:20V

发射*-基*电压VEBO:2.5V

集电*直流电流IC:120mA

总耗散功率(TA=25)Ptot:500mW

工作结温Tj:150

贮存温度Tstg:-65~150

封装形式:SOT-23

功率特性:*率

*性:NPN

结构:扩散型

材料:硅(Si)

封装材料:塑料封装

电性能参数(TA=25):

击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V

直流放大系数hFE: 40250 @VCE=8V,IC=40mA

集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)

发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)

特征频率fT:9.0GHz@ VCE=8V,IC=40mA

集电*允许电流IC0.12A

集电**大允许耗散功率PT0.5W

功率增益GUM14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

噪声系数NF1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

*功率增益S2113dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

反馈电容Cre0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz

 

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品牌/商标

NXP/恩智浦

型号/规格

BFR520

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

A/宽频带放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

封装形式

SOT-23

应用范围

放大