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SC3357硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管,封装形式为SOT89,本体印字依照放大倍数不同分别为:RF/RE。该芯片具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性,截止频率fT=7GHz,集电** 大电流IC=100mA,是工作频点在300-800MHz的高频微波信号电路中的初级放大*理想的三*管,其在1000MHzIC=20mA,Vce=6V 的增益在8-9dB.
2SC3357参数:
类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管集电*-发射*电压VCEO:12V集电*-基*电压VCBO:20V 发射*-基*电压VEBO:3V 集电*直流电流IC:100mA 总耗散功率(TA=25℃)Ptot:1200mW 工作结温Tj:150℃ 贮存温度Tstg:-65~150℃ 封装形式:SOT89; 功率特性:*率 *性:NPN型 结构:扩散型 材料:硅(Si) 封装材料:塑料封装。
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NEC/日本电气
2SC3357
硅(SI)
贴片型