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深圳*薄膜安规电容器*-X2安规电容器
盒式金属聚丙烯膜*干扰安规电容器X2
引用标准:IEC384-14,EN132400,GB/14472,UL1283UL1414
气候类别:40/110/56
额定电压:250/275Vac
容量范围:0.0047μF~4.7μF
容量偏差:&plu*n;10%(k);&plu*n;20%(m);
耐电压: 1200V
Between terminals:2100Vdc(1s).C≤1.0uf ;1800Vdc(1s).c>1.0uf
Between terminals to case:2050Vac(2S)
工作温度:-40℃~ 110℃
损耗角正切:≤0.1%(20℃1kHZ)
*缘电阻:≥15000MΩ;C≤0.33μF,≥5000MΩ;C>0.3μF;100v 1min
特征用途:
深圳市创硕达电子有限公司为台商投资企业,*生产、销售全系列金属化薄膜电容和陶瓷电容。公司自1986年成立以来,凭借*的全套*设备和精湛的生产工艺以及*推行国际质量体系,使我们产品以优异的品质,*的服务和*具竞争力的价格*了广大客户良好的声誉和口碑。
CSD创硕达
X2安规电容
*薄膜
滤波
长方形
*率
高频
固定
径向引出线
&plu*n;10(%)
2000(V)
0.0047~10UF(uF)
≦0.1%(20℃1KHZ)
250/275VAC(V)
-40~110oC