* CL21 MER金属化薄膜电容 *稳定 耐高压 欢迎来参观

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金属化聚酯膜电容器MER

引用标准:GB7332 (IEC60384-2)

气候类别:40/100/21

额定电压: 

50/63Vdc-100VDC/63VAC.250Vdc/160VAC-400Vdc/200VAC-630Vdc/220VAC

容量范围0. 001μF10μF

容量偏差:;&plu*n;5%(J);&plu*n;10%(k)

耐电压: 1.6UR(5sec)

工作温度:-40℃~ 100 

损耗角正切:1.0%(201kHZ)

*缘电阻:3×104MΩ;C0.33μF,1×104MΩ;C>0.33μF;

(20,100v 1min)

特征用途 

 1.高阻*,无感式结构,金属化聚酯膜卷绕 

 2.容量的*性和稳定性高,同时有自复特性。 

3.阻燃材料做包封材料

4.用于直流和脉动电路,用于各种电子电器工业设备的滤波,隔直,旁路耦合,降噪等。



 



 深圳市创硕达电子有限公司为台商投资企业,*生产、销售全系列金属化薄膜电容和陶瓷电容。公司自1986年成立以来,凭借*的全套*设备和精湛的生产工艺以及*推行国际质量体系,使我们产品以优异的品质,*的服务和*具竞争力的价格*了广大客户良好的声誉和口碑。




深圳市创硕达电子有限公司

Shenzhen Chuangshuoda Electronics Co., Ltd

深圳市光明新区红坳恒泰裕高新技术工业园8栋

销售直线:手机:

QQ:8 E-Mail:candy@csdsz.net

WEB:https://www.csdsz.com

品牌/商标

CSD创硕达

型号/规格

CL21 MER

介质材料

*薄膜

应用范围

旁路

外形

长方形

功率特性

大功率

频率特性

高频

调节方式

固定

引线类型

同向引出线

允许偏差

&plu*n;10(%)

耐压值

630(V)

等效串联电阻(*R)

1(mΩ)

标称容量

0.001~10uF(uF)

损耗

&plu*n;5%(J); &plu*n;10%(K);

额定电压

50/63VDC-100VDC~250VDC~400VDC-630VDC.1000/1200V(V)

*缘电阻

1(mΩ)

温度系数

0.01